এইচভি সংশ্লেষণ বৈশিষ্ট্য অ্যাপ্লিকেশন

High Voltage Ceramic Disc Capacitor 20KV 500PF(20KV 501K)

উচ্চ ভোল্টেজের সিরামিক ডিস্ক ক্যাপাসিটর 20KV 500PF (20KV 501K)

বর্ণনা ： 1। হাই রেটেড ভোল্টেজ 20KV, 500pf 2. 150% রেটযুক্ত ভোল্টেজ 3 এ ডাইলেট্রিক শক্তি। 1% 4 এ স্বল্প বিলোপের কারণ। ওয়াই 5 টি
এখনই তদন্ত পাঠান

উচ্চ ভোল্টেজ সিরামিক ডিস্ক ক্যাপাসিটর 20KV 500PF (20KV 501K)

নির্মাতা: এইচভিসি

সিরিজ: সিরামিক ডিস্ক টাইপ ক্যাপাসিটার

ক্যাপাসিট্যান্স: 500pf (501 কে)

ভোল্টেজ - রেটেড: 20 কেভি

সহনশীলতা: কে --- ± 10%

তাপমাত্রা সহগ: Y5T

মাউন্টিং প্রকার: নেতৃত্বাধীন, হোল মাধ্যমে

অপারেটিং তাপমাত্রা: -25 ℃ ~ + 85 ℃

ডাইলেট্রিক শক্তি: রেটেড ভোল্টেজের 150%

বিযুক্তি ফ্যাক্টর ট্যান: 1%

নিরোধক প্রতিরোধ: ন্যূনতম। 200 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেডে 000 25 এমΩ

পণ্যের বর্ণনা:

ক্যাপাসিটর উচ্চ, ক্যাপাসিটর উচ্চ, উচ্চ ক্যাপাসিটর, ক্যাপাসিটর ফিল্টার, ফিল্টার ক্যাপাসিটর, ফিল্টার ক্যাপাসিটর, উচ্চ ভোল্টেজ ট্রান্সফরমার, 104 ক্যাপাসিটর

আবেদন:

আউটডোর ফিউজ কাটআউট, লোড ব্রেক ডিস্ট্রিবিউশন ফিউজ কাটআউট, ক্যাপাসিটর ইউনিট, ক্যাপাসিটর ব্যাঙ্ক, ক্যাপাসিটর ব্লকিং ইউনিট (সিবিইউ), ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটর, ক্যাপাসিটর ভ্যাকুয়াম সুইচ, ক্যাপাসিটর সুইচ, ভ্যাকুয়াম সুইচ, সম্মিলিত সংযোগ বিচ্ছিন্ন সার্কিট

সিরামিক ক্যাপাসিটারস এবং রোধ জ্ঞান:

প্রতিবন্ধক মোড এবং প্রতিরোধক এর প্রক্রিয়া

ব্যর্থতা প্রক্রিয়া: শারীরিক, রাসায়নিক, তাপবিদ্যুৎ বা অন্যান্য প্রক্রিয়াগুলি ব্যর্থতার কারণ।

প্রতিরোধক প্রধান ব্যর্থতা মোড এবং ব্যর্থতা প্রক্রিয়া হয়

1) ওপেন সার্কিট: প্রধান ব্যর্থতা প্রক্রিয়া হল প্রতিরোধের ফিল্ম বা বড় আকারের ছাঁটাই, ম্যাট্রিক্স ফাটল, সীসা টুপি এবং রোধক শাখানো।

2) স্পেসিফিকেশন ছাড়াই প্রতিরোধের ড্রিফট: প্রতিরোধ ফিল্ম ত্রুটি বা অবনতি, ম্যাট্রিক্স চলমান সোডিয়াম আয়ন, দরিদ্র সুরক্ষা আবরণ।

3) সীসা ফ্র্যাকচার: প্রতিরোধের ঢালাই প্রক্রিয়ার ত্রুটিগুলি, ঝাল যুগ্ম দূষণ, যান্ত্রিক চাপ ক্ষতি সীসা।

4) শর্ট সার্কিট: রৌপ্য স্থানান্তর এবং কোরাণ স্রাব।

পূর্ববর্তী:এটির 20KV 330PF (20KV 331K) পরবর্তী:এটির 20KV 1000PF (20KV 102K)