এইচভি সংশ্লেষণ বৈশিষ্ট্য অ্যাপ্লিকেশন

High Voltage Ceramic Disc Capacitor 4KV 3300PF

উচ্চ ভোল্টেজ সিরামিক ডিস্ক ক্যাপাসিটর 4KV 3300PF

বর্ণনা ： 1। হাই রেটড ভোল্টেজ 4 কেভি, 3300pf 2. 150% রেটেড ভোল্টেজ 3 এ ডাইলেট্রিক শক্তি। 2% 4 এ স্বল্প বিলোপের কারণ। ওয়াই 5 ভি
এখনই তদন্ত পাঠান

উচ্চ ভোল্টেজ সিরামিক ডিস্ক ক্যাপাসিটার 4 কেভি 3300PF

নির্মাতা: এইচভিসি

সিরিজ: সিরামিক ডিস্ক টাইপ ক্যাপাসিটার

ক্যাপ্যাসিট্যান্স: 3300pf (332 এম)

ভোল্টেজ - রেটেড: 4KV

সহনশীলতা: এম --- ± 20%

তাপমাত্রার গুণাঙ্ক: Y5V

মাউন্টিং প্রকার: নেতৃত্বাধীন, হোল মাধ্যমে

অপারেটিং তাপমাত্রা: -25 ℃ ~ + 85 ℃ (Y5V (F))

অস্তরক শক্তি: রেটেড ভোল্টেজের 150% (Y5V (F))

বিযুক্তি ফ্যাক্টর ট্যান: 2% (Y5V (F))

নিরোধক প্রতিরোধ: ন্যূনতম। 200 ° C (Y000V (F)) এ 25 5 MΩ

পণ্যের বর্ণনা: উচ্চ ভোল্টেজ ক্যাপাসিটার, ক্যাপাসিটর, ক্যাপাসিটর, এইচভি ক্যাপাসিটার, capasitor, ভোল্টেজ ক্যাপাসিটার, ক্যাপাসিটার উচ্চ ভোল্টেজ, ক্যাপাসিটার উচ্চ ভোল্টেজ,

আবেদন: সিটি স্ক্যানার, ধুলো সংগ্রাহক, ডাস্ট কালেকশন সিস্টেম, তড়িৎ জেনারেটর, ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক মেশিন, স্ট্যাটিক বিদ্যুত জেনারেটর

সিরামিক ক্যাপাসিটর এবং আরম্ভকারী জ্ঞান:

প্রবৃত্তি ব্যর্থতা বিশ্লেষণ

ইন্ডাক্টর ব্যর্থতা মোড: ওভারহট, ওপেন সার্কিট এবং ইনডিকেটমেন্ট শর্ট সার্কিট এবং অন্যান্য পারফরমেন্স

মোটা কুণ্ডলী জালের চিপ প্রযোজক এর ব্যর্থতা প্রক্রিয়া:

দ্বারা উত্পাদিত যান্ত্রিক চাপ

1। মেশিনের সময় কোর অপেক্ষাকৃত বড় এবং রিলিজ করা হয় নি।

2। কোর মধ্যে নিজেই Impurities বা cavities অভিন্ন নয়, যা কোর চুম্বকীয় ক্ষেত্র প্রভাবিত করে এবং কোর বিচলিত এর ব্যাপ্তিযোগ্যতা তোলে

3। sintering কারণে sintering ফাটল

4। তামার তারের এবং তামার স্ট্রিপ নিমজ্জন ঢালাই দ্বারা ঝালাই হয়, কুণ্ডলী অংশ টিনের তরল splashes, যা enameled তারের অন্তরক স্তর গলে এবং শর্ট সার্কিট কারণ।

5। তামা তারের সরু হয়। যখন এটি তামার স্ট্রিপের সাথে সংযুক্ত হয়, এটি মিথ্যা ঢালাই করে এবং ওপেন সার্কিটের ব্যর্থতার কারণ।

পূর্ববর্তী:1KV 470PF পরবর্তী:এটি 4KV 10000PF